第4章

实验室里的攻坚战------------------------------------------，林辰就知道，平静的日子已经结束了。英特芯科技不会善罢甘休，而他必须在对方动手之前，拿出实实在在的成果。，张敬华已经召集了所有能调动的人手。实验室里灯火通明，十几名研究生和年轻教师围在一台老旧的沪光精密28nm DUV光刻机前，脸上满是兴奋又忐忑的神情。“林辰，设备和材料我都给你凑齐了。”张敬华指着角落里堆放的箱子，声音有些沙哑，“光刻机是十年前的老型号，精度勉强能达到要求。光刻胶是南大光电最新量产的ArF干式光刻胶，国产的，纯度比**的差一点，但凑合用。大硅片是沪硅产业的12英寸片，良率大概85%。其他材料也都是国产替代的，能弄到的最好的了。”，心里清楚这已经是张敬华能做到的极限。2025年的华夏，高端半导体材料几乎全部依赖进口。星联合众国的制裁令刚下，**和欧洲的供应商就已经停止了供货，就连最基础的电子特气都变得一票难求。“张教授，谢谢您。”林辰郑重地鞠了一躬，“有这些就够了。够不够，不是我说了算，是实验结果说了算。”张敬华拍了拍他的肩膀，“我已经跟学校申请了，这个实验室从今天起归你全权指挥。所有人都听你的安排，包括我。”，实验室变成了战场。林辰制定了严格的作息表，所有人分成三班倒，24小时不间断工作。他自己更是吃住都在实验室，每天只睡三个小时。。用DUV光刻机实现5nm制程，需要采用自对准四重图形化技术（SAQP），这意味着同样的图案要经过四次光刻、四次刻蚀、四次清洗才能完成。任何一个环节出现0.1纳米的误差，整个晶圆就会报废。。老旧的光刻机对准系统精度不够，第一次曝光后，套刻误差达到了5纳米，远远超过了5nm制程允许的1纳米上限。“不行，误差太大了。”苏晚晴盯着屏幕上的检测数据，眉头紧锁。她是张敬华特意从华夏芯制造借调过来的工艺工程师，有着丰富的流片经验，“这台设备的机械结构已经老化了，再怎么校准也达不到要求。”。没有高精度的光刻机，一切理论都是空谈。，他走到光刻机前，仔细观察着每一个部件。过了足足一个小时，他突然开口道：“把光刻机的光源功率降低15%，曝光时间延长20%。然后修改掩膜版的补偿参数，加入0.3纳米的预偏移量。这怎么行？”苏晚晴立刻反对，“降低光源功率会导致光刻胶曝光不足，延长曝光时间又会增加衍射效应，只会让误差更大！相信我。”林辰的眼神无比坚定，“我计算过，这台设备的光学系统有一个特殊的像差特性。降低功率和延长时间，正好可以抵消这个像差。再加上预偏移补偿，套刻误差能控制在0.8纳米以内。”。当第二次曝光完成后，检测数据出来了——套刻误差0.76纳米。
实验室里爆发出一阵欢呼。苏晚晴看着林辰的背影，眼神里充满了敬佩。她终于明白，为什么这个年轻的博士生能提出那样惊世骇俗的理论。他对光刻机的理解，已经超越了这个时代的所有人。
然而，困难接踵而至。国产光刻胶的分辨率不足，导致刻蚀后的线边缘粗糙度（LER）达到了3.5纳米，比**产品高出一倍多。这会直接导致芯片漏电流增加，功耗上升20%以上。
林辰带领团队连续攻关了三天三夜，终于找到了一个解决方案。他们在光刻胶中加入了一种特殊的纳米添加剂，同时优化了显影工艺，将LER降低到了2.2纳米。虽然还是比EUV工艺的1纳米差，但已经满足了5nm制程的基本要求。
在所有人都在为攻克一个个技术难题而欢呼的时候，角落里一个身影的眼神却越来越阴冷。
陈斌站在人群后面，看着被众人簇拥的林辰，拳头攥得咯咯作响。他比林辰早三年读博，是张敬华最得意的门生之一。原本这次博士毕业，他已经拿到了联芯国际的高薪offer，前途一片光明。可林辰的出现，抢走了所有人的关注，也让他变得一文不值。
“等着吧，林辰。”陈斌在心里恶狠狠地说道，“你不会得意太久的。”
他悄悄拿出手机，给王海涛发了一条短信：“一切顺利，他们已经进入刻蚀环节了。我会找机会拿到完整的工艺参数。”
手机屏幕亮起，回复只有两个字：“尽快。”
此时，距离流片开始已经过去了七天七夜。第一批12片晶圆终于完成了所有的工艺步骤，进入了最后的测试环节。
所有人都围在探针台周围，屏住了呼吸。林辰深吸一口气，将探针轻轻放在了第一片晶圆上。
屏幕上，测试数据开始跳动。
(**章完)